F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 Infineon ΜΙΚΡΉ ΔΎΝΑΜΗ ενότητας IGBT ΕΎΚΟΛΗ
F3L75R12W1H3B27BOMA1
Κατασκευαστής: Infineon
Τύπος προϊόντων: Ενότητες IGBT
Διαμόρφωση: 3-Phase αναστροφέας
Μέγιστη τάση VCEO συλλέκτης-εκπομπών: 1,2 kV
Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών: 1.45 Β
Συνεχές ρεύμα συλλεκτών σε 25 Γ: 45 Α
Ρεύμα διαρροής πύλη-εκπομπών: NA 100
Διασκεδασμός pd-δύναμης: 275 W
Συσκευασία/κιβώτιο: EasyPack1B
Ελάχιστη θερμοκρασία εργασίας: - 40 Γ
Μέγιστη θερμοκρασία εργασίας: + 150 Γ
Συσκευασία: Δίσκος
Μέγιστη τάση πυλών/εκπομπών: 20 Β
Σειρά: Υψηλή ταχύτητα IGBT H3
Ποσότητα συσκευασίας: 24 PC
Υποκατηγορία: IGBTs
Τεχνολογία: Si
Τα προϊόντα μας πωλούνται σε όλο τον κόσμο. Μπορείτε να είστε σίγουροι για ολόκληρη τη διαδικασία των προϊόντων μας.
