Να στείλετε μήνυμα
Eastern Stor International Ltd. 86-755-8322-8551 darren@easternstor.com
Configuration Single IGBT Modules 1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858

Ενιαίες IGBT ενότητες 1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 διαμόρφωσης

  • Υψηλό φως

    Ενιαίες ενότητες IGBT

    ,

    Ενότητες 1200V IGBT

    ,

    Ενιαίο IGBT 150A

  • Infineon
    FD150R12RT4HOSA1
  • Διαμόρφωση
    Ενιαίος
  • Μέγιστη τάση VCEO συλλέκτης-εκπομπών
    1,2 kV
  • Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών
    2.15 Β
  • Συνεχές ρεύμα συλλεκτών σε 25C
    150 Α
  • Ρεύμα διαρροής πύλη-εκπομπών
    NA 100
  • Διασκεδασμός pd-δύναμης
    790 W
  • Ελάχιστη θερμοκρασία εργασίας
    -40℃
  • Μέγιστη θερμοκρασία εργασίας
    +150℃
  • Συσκευασία
    10 PC
  • Τόπος καταγωγής
    Γερμανία
  • Μάρκα
    Infineon
  • Αριθμό μοντέλου
    FD150R12RT4HOSA1
  • Ποσότητα παραγγελίας min
    1pcs
  • Τιμή
    Bargain
  • Συσκευασία λεπτομέρειες
    Δίσκος
  • Χρόνος παράδοσης
    48hours
  • Όροι πληρωμής
    L/C, T/T
  • Δυνατότητα προσφοράς
    500 PCS+48hours

Ενιαίες IGBT ενότητες 1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 διαμόρφωσης

 

FD150R12RT4HOSA1   SP000711858   Infineon    Ενότητα IGBT 1200V 150A IGBT

FD150R12RT4

 

Κατασκευαστής: Infineon
Τύπος προϊόντων: Ενότητες IGBT
Διαμόρφωση: Ενιαίος
Μέγιστη τάση VCEO συλλέκτης-εκπομπών: 1,2 kV
Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών: 2.15 Β
Συνεχές ρεύμα συλλεκτών σε 25 Γ: 150 Α
Ρεύμα διαρροής πύλη-εκπομπών: NA 100
Διασκεδασμός pd-δύναμης: 790 W
Ελάχιστη θερμοκρασία εργασίας: - 40 Γ
Μέγιστη θερμοκρασία εργασίας: + 150 Γ
Συσκευασία: Δίσκος
Μέγιστη τάση πυλών/εκπομπών: 20 Β
Ύφος εγκατάστασης: SMD/SMT
Σειρά: Τάφρος/Fieldstop IGBT4
Ποσότητα συσκευασίας: 10 PC
Υποκατηγορία: IGBTs

 

 

Ενιαίες IGBT ενότητες 1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 διαμόρφωσης 0Ενιαίες IGBT ενότητες 1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 διαμόρφωσης 1